Tess Technology
Проведение исследований рынка. Построение прогнозных моделей.
+7 (916) 729 07 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00
Заказать звонок
г. Москва, пр. Кадомцева, д.15
Компания
  • О компании
  • Принципы и ценности Tess Technology
  • Реквизиты
Услуги
  • Анализ рынков
  • Математическое моделирование
  • Теория ограничений
  • Предоставление Баз Данных
Проекты
  • Выход на новый рынок
  • Математическое моделирование
  • Поиск новых ниш
  • Расчет экономических показателей
Блог
Контакты
    Tess Technology
    Компания
    • О компании
    • Принципы и ценности Tess Technology
    • Реквизиты
    Услуги
    • Анализ рынков
    • Математическое моделирование
    • Теория ограничений
    • Предоставление Баз Данных
    Проекты
    • Выход на новый рынок
    • Математическое моделирование
    • Поиск новых ниш
    • Расчет экономических показателей
    Блог
    Контакты
      Tess Technology
      • Компания
        • Назад
        • Компания
        • О компании
        • Принципы и ценности Tess Technology
        • Реквизиты
      • Услуги
        • Назад
        • Услуги
        • Анализ рынков
        • Математическое моделирование
        • Теория ограничений
        • Предоставление Баз Данных
      • Проекты
        • Назад
        • Проекты
        • Выход на новый рынок
        • Математическое моделирование
        • Поиск новых ниш
        • Расчет экономических показателей
      • Блог
      • Контакты
      • Главная
      • Информация
      • Статьи
      • Перспективы развития литографии в РФ

      Перспективы развития литографии в РФ

      26 июня 2022 10:13
      // Бизнес-советы
      Перспективы развития литографии в РФ

      Опоздание на 20 лет или шанс на рывок?

      Ключевой технологией, обеспечивающей возможность изготовления и развития микроэлектроники, является фотолитография. После февраля 2022 года стало очевидным, что в России требуется восстановление и перезапуск потерянных в 90-х годах технологий, которыми успели воспользоваться иностранные компании.

      На данный момент на мировом рынке установок для литографии лидирует нидерландская AMSL с технологией фотолитографии, использующая фотошаблоны (маски). В современных установках используется технология глубокий ультрафиолет (DUV), источником света служит эксимерный лазер с длинной волны 365, 248, 193 нм. Данная технология позволяет достигать техпроцесса c точностью 22 nm. Дальнейшее развитие данной технологии — экстремальный ультрафиолет (EUV) позволило достигнуть техпроцесса точностью 7 нм. Для этого пришлось использовать вместо источника света плазму, получаемую путем распыления олова в вакууме с последующей обработкой лазером с длинной волны 13,5 нм, а также применять специальные многослойные зеркала из искусственных дифракционных структур производства компании Zeiss (Немецкая компания).

      Litigraph-01.jpg

      Рисунок. Схема EUV установки.

      Общие проблемы развития фотолитографии с применением фотошаблонов в России связаны с общей дороговизной разработки данного оборудования, из-за этого монополист в EUV технологиях нидерландская компания AMSL начала строить экспериментальные установки еще в середине 2000-х годов. При этом использовались технологии, разработанные российскими учеными. На данный момент даже такие технические гиганты как INTEL и TSMC не могут себе позволить в полном объеме закупить новейшие установки от AMSL, при этом очередь на них достигает нескольких лет. Вторым аспектом препятствующем разработке данного оборудования в РФ является необходимость производства дорогостоящих фотошаблонов, которые необходимо менять в случае внесения в производимую продукцию любых небольших изменений. Третьим аспектом является отсутствие производства кремниевых пластин размером 300 мм, обычно используемых для техпроцессов ниже 65 нм. В отечественной литографии в основном используются пластины размером 200 мм, которые по различным причинам существенно увеличивают себестоимость выпускаемой продукции при комбинации с современными техпроцессами. Современная технология EUV фотолитографии с использованием фотошаблонов уже сейчас подбирается к теоретическому пределу развития, и может окупится только если конечная продукция выпускается огромными тиражами, это основное достоинство данной технологии.

      Альтернативой масочной фотолитографии является безмасочная, которая делиться на несколько подвидов, которые в основном различаются типом воздействия (оптическим, рентгеновским или электронным лучом) на резистивный слой подложки. Данная технология не требует создания фотошаблонов и позволяет легко вносить модификации при производстве конечной продукции, при этом может достигнуть техпроцесса менее 10 нм. При этом данные технологии являются наиболее перспективными. Основным минусом данных методов литографии является существенно более медленная скорость (в разы) изготовления конечных изделий. Поэтому в основном данная технология применяется в экспериментальных установках.

       Litigraph-02.jpg

      Рисунок. Схема безмасочной рентгеновской установки.

      На данный момент действующего производства литографических установок в РФ не существует и требует отдельного внимания на возрождение технологии и последующего его усовершенствования.

      Разработкой прототипа EUV фотолиграфической установки и ее оптической занимался Николай Салащенко в Институте физики микроструктур (ИМФ) РАН в Нижнем Новгороде, производство планировали наладить на Красногорском механическом заводе, но на момент проведения мониторинга производство не было запущено.

      Источником излучения EUV занимался Константин Кошелев в Институте спектроскопии (ИСАН) РАН в подмосковном Троицке, именно разработки Константина Кошелева легли в основу EUV технологии компании AMSL. Сверхточными системами позиционирования, которые можно использовать и в фотолитографических установках, занималась «Лаборатория “Амфора”» в Москве, которая закрылась в 2016 году.

      В НЦО Курчатовском институте используют экспериментальную литографическую установку Лига (К6.3), которую спроектировали для задач глубокой рентгеновской литографии.

      Также НИИ Молекулярной электроники ведет разработку экспериментальной литографической установки на электронных пучках.

      В 2010 году специалисты Института ядерной физики им Г.И. Будкера предложили создать источник для литографических установок на базе лазера с длинной волны 13,5 нм на свободных электронах (ЛСЭ), который может применяться в безмасочных литографических установках. На данный момент в институте создан и используется первый в мире лазер на свободных электронах, использующий ондулятор с плавно изменяемым периодом.

      В феврале 2022 года Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) объявил о планах серийного производства фотолиграфических установок на отечественной базе с топологическими нормами 350 и 130 нм, с применением лазера длинной волны 192 и 248 нм. ЗНТЦ планирует привлечь к разработке белорусский Планар и компанию Lassard (связана с Байкал Электроникс), которая производит лазерные установки. В настоящее время заключены несколько контрактов на разработку отечественных литографических установок.

      Московский институт электронной техники (МИЭТ) заключил с Минпромторгом контракт на разработку концепции безмасочного рентген-фотолитографа «на базе синхротронного и/или плазменного источника. При разработке данного литографа будут использоваться ранние разработки, указанные выше. Роль фотошаблона у такого сканера будет играть массив микрозеркал на основе матриц МОЭМС. Планируется достичь техпроцесса 28 нм и меньше. Использование МОЭМС облегчено тем, что в России голландская фирма Mapper Lithography и «Роснано» создали в начале 2010-х годов совместное предприятие «Маппер», выпускающее МОЭМС. Позже компания Mapper Lithography обанкротилась и была выкуплена компанией AMSL, в то же время российская часть компании отошла Роснано и функционирует до сих пор в Технополисе (Москва). Источником излучения установки может стать лазерно-плазменный излучатель на основе олова от компании RnD-ISAN, разработанный под руководством Константина Кошелева, или лазерно-плазменный источник на основе ксенона или криптона.

      Сейчас в Зеленограде МИЭТ совместно с Микроном и ЗНТЦ строит на месте старых корпусов «Ангстрема» новую фабрику в рамках государственной программы «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности»., где планируют к 2030 году начать выпускать отечественное литографическое оборудование для производства микросхем по 28 нм техпроцессу. Основой будет технология МИЭТ c использованием динамической МЭМС маски, на базе источника с EUV лазером.

      В конце 2021 года Минпромторг заказал разработку программы развития электронного машиностроения в России до 2030 года. Она предполагает налаживание выпуска установок для производства современной микроэлектроники. Разработчиком программ выбрано ФГКУ «Мытищинский научно-исследовательский институт радиоизмерительных приборов». Но какая бы не была программа, необходимо создание и развитие отечественных компаний, обеспечивающих разработку, производство и серийное сопровождение микроэлектронного технологического оборудования и расходных материалов в объемах, необходимых отечественным производителям микроэлектроники.

       

      —А как вы оцениваете перспективы развития литографии в России? Сможем ли мы наладить производство микроэлектроники или всё закончится импортом?

      Может, проще и дешевле обратиться к Китаю?


      Теги
      Аналитика Микроэлектроника
      Назад к списку Следующая статья
      Категории
      • Бизнес-советы15
      • Повышение продаж1
      • Управление проектами1
      Это интересно
      • Аппаратно-программные комплексы для Искусственного Интеллекта
        15 марта 2023
      • Маркировка электронно компонентной базы в РФ
        10 октября 2022
      • Отношение бизнеса к данным и аналитике
        1 июня 2022
      • Рынок Умного Дома
        10 мая 2022
      • Отечественная полупроводниковая отрасль в условиях санкций
        14 марта 2022
      • Жизненный цикл товаров: от производителя до полки супермаркета
        2 октября 2021
      • Большие данные в большой фарме? Большое дело!
        2 октября 2021
      • Карта искусственного интеллекта
        28 сентября 2021
      • Нейромаркетинг: верить ли словам потребителя?
        2 октября 2020
      • Три правила работы с Big Data
        28 сентября 2020
      • 7 трендов социальных медиа
        28 сентября 2020
      • Алгоритмический маркетинг (часть 2): кейсы
        27 февраля 2020
      • Алгоритмический маркетинг (часть 3): предсказательная аналитика и оптимизационные модели
        27 февраля 2020
      • Алгоритмический маркетинг (часть 1): зачем маркетологам искусственный интеллект?
        27 февраля 2020
      Облако тегов
      AI Big Data R&D SMM Алгоритмический маркетинг Аналитика Аналитика рынка Биг Дата Искусственный интеллект Исследования Маркетинг Микроэлектроника Нейромаркетинг Производство Социальные медиа Фарма Цифровая экономика
      Компания
      О компании
      Принципы и ценности Tess Technology
      Реквизиты
      Услуги
      Анализ рынков
      Математическое моделирование
      Теория ограничений
      Предоставление Баз Данных
      Проекты
      Выход на новый рынок
      Математическое моделирование
      Поиск новых ниш
      Расчет экономических показателей
      Блог
      Перспектива отечественных полупроводников
      Три правила работы с Big Data
      Перспективы развития литографии в РФ
      Наши контакты

      +7 (916) 729 07 16
      Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00
      г. Москва, пр. Кадомцева, д.15
      mail@tesstech.ru
      © 2023 Все права защищены.